Главная
Новости
Репортажи
Статьи
Форум


Игры
Киберспорт
ЧР-2006
Кино
Книги
Разное
Девайсы
Клубы
Портал


База
Серверы
Фотогалерея
Галерея
Реклама
О проекте

Наши партнеры:


Russian e-Sport Portal




Copyright © ООМО Компьютеры-молодежи 2011
    Новости

IBM и Intel объявляют вторую транзисторную революцию

Дата: 29.01.2007


Практически одновременно IBM и Intel объявили о разработке технологии, которая, вероятно, может положить начало второй транзисторной революции. Согласно имеющейся информации, прорыв удалось осуществить за счет использования в микросхемах диэлектриков на основе гафния.

В полупроводниковой промышленности уже более 40 лет в качестве диэлектрика в микросхемах используется двуокись кремния SiO2. В процессе эволюции технологии толщину диэлектрика управляющего электрода транзистора удалось, по данным Intel, в 65-нм процессе довести до 1,2 нм – это соответствует примерно толщине слоя в 5 атомов.

Вместе с тем, дальнейшая миниатюризация с использованием SiO2 осложняется растущими при этом токами утечки. Они, а также диссипация энергии являлись основными факторами, ограничивавшими дальнейший прогресс в области микроминиатюризации. Преодолеть возникшие проблемы удалось исследовательским коллективам компаний IBM и Intel, практически одновременно, год спустя после демонстрации первых образцов 45-нм чипов, объявившим о готовности к переходу на новую 45-нм производственную технологию.

Для перехода на новый масштабный уровень – 45-нм – ученые Intel решили использовать в качестве диэлектрика управляющего электрода транзистора материала с относительно высоким значением диэлектрической проницаемости (high-k диэлектрика) на основе гафния.

Это позволило обеспечить достаточную для предотвращения утечки толщину диэлектрика без ухудшения емкостных характеристик. Ранее сообщалось, что использование high-k диэлектриков позволит снизить ток утечки на 2 порядка – а возможно, и больше.

Помимо high-k диэлектриков, в чипах Intel используются также диэлектрики с низкой диэлектрической константой (low-k) из нитрида кремния (SiN) в сочетании с допированным углеродом оксидным материалом (carbon-doped oxide, CDO). Они позволяют снизить межконтактную емкость, что повышает скоростные характеристики чипа и также способствует снижению энергопотребления.

Переход к использованию в качестве диэлектрика материала на основе гафния потребовал решить проблему его плохой совместимости с кремниевым электродом затвора из-за двух факторов: «захвата» порогового уровня, или уровня Ферми (Fermi level pinning), и фононного рассеяния (phonon scattering).

Первый из них связан с возникновением дефектов на границе раздела проводника и диэлектрика, препятствующих снижению напряжения переключения транзистора. Второй вызывается поляризацией диэлектрика, приводящей к снижению подвижности носителей заряда и, как следствие, ухудшению скоростных характеристик транзистора.

Проблемы, сообщает пресс-служба Intel, удалось решить за счет отказа от кремниевых электродов и замены их металлическими. Точный состав металлов держится в секрете, но указывается, что в транзисторах NMOS- и PMOS-типов используются различные металлы.

Intel планирует стать лидером в коммерциализации новой 45-нм технологии и освоении серийного производства микросхем нового поколения. По оценкам компании, это произойдет уже в третьем-четвертом кварталах 2007 года. Согласно уже обнародованной Intel информации, новая технология будет использована при производстве чипов семейства Penryn.

По данным Intel, переход на 45-нм процесс позволит в 2 раза повысить плотность транзисторов по сравнению с рекордными на сегодняшний день показателями 65-нм процесса. На 20% возрастет скорость переключения транзисторов - важнейший показатель быстродействия микросхемы, а также на 30% снизится необходимая для этого мощность. "Закону Мура", задававшему темп развития полупроводниковой промышленности, придано "новое дыхание".

Переход Intel на новую технологию будет масштабным. В настоящее время серийное производство на основе 45-нм процесса на 300-мм подложках отрабатывается на фабрике D1D в г. Хиллсборо, штат Орегон. Площадь «чистой комнаты» этой фабрики соответствует площади 3,5 футбольных полей.

Кроме того, производство на основе 45-нм процесса будет организовано на фабрике Fab 32 в г. Окотилло, штат Аризона (начало производства – вторая половина 2007 года) и на фабрике Fab 28 в Израиле (ориентировочное начало производства – первая половина 2008 года).

Информация от IBM, также заявившей о разработке технологии high-k диэлектриков и металлических электродов, не столь подробна. Как сообщает NorthWest Herald, технология разработана IBM в сотрудничестве с партнерами - AMD, Sony и Toshiba. Серийное производство по 45-нм технологии конкуренты Intel намерены начать к середине 2008 года.

Источник: cnews.ru



Вернуться

Комментарии:


Комментарии отсутствуют

Новый комментарий


   События

Событий нет





Регистрация
Логин:
Пароль:
 
Регистрация
Забыли пароль?




Наши авторы

Лобанов Александр

Акубеков Константин